国星光电“功率发光二极管封装结构”入围广东专利优秀奖

2013-04-10 11:32:28 作者：CN_SZLED_2012HJ 来源： 浏览次数：0

　　经省政府批准，由省知识产权局和省人事厅共同评定的2013年广东省专利奖拟将项目近日公示，国星光电“功率发光二极管封装结构”入围2013年广东省专利优秀奖。在本次公示中，佛山市共有11项专利入围，其中包括禅城区6项专利。

　　“功率发光二极管封装结构”(ZL200710030850.6)发明专利提供一种散热效果好、生产效率高、低成本、结构牢固的功率发光二极管封装结构,其具体包括：如图所示，热沉1、PCB线路板2、发光二极管芯片3、内引线4、封装胶体5，线路板上印刷有金属电极(7、8)，发光二极管芯片安放于热沉上，封装胶体覆盖内引线及发光二极管芯片，内引线连接发光管芯片电极和线路板金属电极。
经省政府批准，由省知识产权局和省人事厅共同评定的2013年广东省专利奖拟将项目近日公示，国星光电“功率发光二极管封装结构”入围2013年广东省专利优秀奖。在本次公示中，佛山市共有11项专利入围，其中包括禅城区6项专利。

功率发光二极管封装结构示意图

        同时，国星光电以此发明专利为核心专利，申请了近40项境内外专利，并已拥有24项外围专利获得授权(其中发明专利5项，实用新型9项，外观设计10项)，从点光源单器件产品技术开发延伸至面光源多器件组合系统技术开发，使国星光电基于该功率发光二极管封装结构形成一套完善的产品系列，满足于各种应用的光源需求。